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產(chǎn)品中心

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靶材

虹鷺生產(chǎn)的鎢靶密度高,組織均勻,濺射的鎢薄膜具有低電阻、高耐熱等特性,廣泛用于半導(dǎo)體電子部件中,幷且很好的滿足了行業(yè)需求。

應(yīng)用領(lǐng)域

鎢鈦(WTi)薄膜在半導(dǎo)體和光伏電池行業(yè)中可用作Al和Si之間有效的擴(kuò)散阻擋層,其主要通過物理氣相沉積(PVD)技術(shù)、通過磁控濺射WTi合金靶材而獲得。 在半導(dǎo)體工業(yè)中,鎢薄膜主要用作構(gòu)成電子部件的材料,例如柵電極或布線材料。這些電子部件的集成度、可靠性、功能特性和處理速度等要求日益增加。 鎢硅靶材通過物理氣相沉積技術(shù)(PVD)制備得到鎢硅薄膜,應(yīng)用在半導(dǎo)體、特別是存儲(chǔ)器,如DRAM中,充當(dāng)有效的柵極奧姆接觸層


應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體及電子技術(shù)? 電光源? 航空航天及汽車工業(yè)


行業(yè)中希望獲取高性能的WTi合金靶材,即濺射過程中產(chǎn)生的顆粒數(shù)少、得到的薄膜均一性高幷且具有優(yōu)良電性能的靶材。為了滿足復(fù)雜集成電路擴(kuò)散阻擋層可靠性的要求,虹鷺的WTi合金靶材具有高純度和高密度的特性。


虹鷺生產(chǎn)的鎢靶密度高,組織均勻,濺射的鎢薄膜具有低電阻、高耐熱等特性,廣泛用于半導(dǎo)體電子部件中,幷且很好的滿足了行業(yè)需求。


半導(dǎo)體領(lǐng)域用的鎢硅靶材在純度、組織結(jié)構(gòu)控制以及靶材組件整體質(zhì)量一致性等方面具有十分嚴(yán)格的要求,其對(duì)薄膜的性能起著至關(guān)重要的影響。


產(chǎn)品形態(tài):

鎢 / 鎢鈦 / 鎢硅靶材,形狀可定制

純度:鎢(上至5N)/? 鎢鈦(上至4N5)/ 鎢硅(上至4N5)


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