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濺射鍍膜的基本原理是讓具有足夠高能量的粒子轟擊靶材表面，使靶材中的原子被“濺射”出來，沉積到基體上成膜。通常是利用氣體放電產(chǎn)生氣體電離，其正離子在電場作用下高速轟擊作為陰極的靶體，擊出陰極靶體原子或分子，飛向被鍍基體表面沉積成薄膜。靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)。

在半導體工業(yè)中，鎢（W）薄膜主要被用作構(gòu)成位于W-Al基底中的電子部件（例如，柵電極或接線材料） 的材料。

近年來，微電子及半導體產(chǎn)業(yè)得到了迅速的發(fā)展，由于這些電子零件需要高集成度，高可靠性，高功能性，高速處理，為了滿足這些需求，降低薄膜材料的電阻至關(guān)重要。W用于柵極和互連金屬化中的金屬間隔離有著顯著的作用，鎢電阻低，并且耐熱性也極好，鎢作為構(gòu)成電極和導線的材料，引起了半導體工程師的廣泛注意

廈門虹鷺生產(chǎn)的高純鎢靶材應(yīng)用于物理氣相沉積（PVD）制備，濺射過程中產(chǎn)生的顆粒數(shù)少、得到的薄膜均一性高并且具有優(yōu)良電性能，能夠較完美地滿足半導體行業(yè)對材料的極致追求。